センター長挨拶
分析計測センター長 梅田 実
本学は開学当初より産学連携を見据えた教育研究を行ってきております。これに応えるべく本センターは、各種大型分析機器を維持管理し、研究のための機器利用に対して適切な運営を図ることを目的に,1980年に学内共同利用施設として設置されて現在に至っています。この間,(i)分析機器の維持管理に留まらず実践的な研究に資する機器の効率的運用,(ii)依頼測定と結果の解析,(iii)分析機器に関する各種講習会の実施,(iv)機器分析に関する技術支援と,(v)それらの機器を使用した独自の研究を含む分析計測全般を扱って参りました。
近年の分析機器の進歩はめざましく,それらを高水準で維持しながら学内のニーズに応える分析計測を提供するために,本センターは分析機器の集中管理,先端計測機器の計画的導入,そして機器ごとのサポート体制を整備してきたところです。これらの高水準で管理された機器を学内に広く提供するために,利用者には各分析機器の操作法のみならず、測定原理を講習し、利用者自身が個々の装置を使用する研究主体の方式で運営しております。このように間口を広くとり,かつ奥行きの深い体制をとることをセンター運営の基本方針としています。
本センターの運営にあたっては,常勤スタッフ4名と非常勤スタッフ14名の体制できめ細かな支援が行えるようにメンバーを増員しましたし,希望利用者には24時間使用できる管理体制と致しました。また,高度な機器の維持管理に要するランニングコストについては,各分析機器の料金体系の設定に関係各位のご理解を得て軌道に乗りつつあります。利用しやすい適切な利用料金と思われますので,より一層の機器の活用による教育研究の向上を願っております。なお,この開かれたセンターをより使いやすくするために,今後は本センターの運用形態に即した新しいWeb予約システムの作成と運用を計画しています。
本年報には,本センターの活動のようすや成果などがまとめられています。これにより,本センターの設備ないし機能を皆さまにご理解いただき,学内はもとより社会の要請に応えかつ貢献できる機関となるよう,スタッフ一同努力して参ります。関係各位のご指導とご支援を切にお願い致します。
センター利用システムついて
分析計測センター技術職員 程内和範
本センターは、利用者に各分析機器の操作法、測定原理の講習を行い、利用者自身が個々の装置を重点使用する研究主体の方式をとることを基本方針としています。
1.利用時間
平 日 9:00〜17:00
休館日 土曜日、日曜日、祝日、
夏期、年末年始等(随時掲載)
2.時間外利用
時間内の予約が取れない場合に限り、時間外利用を受け付けています。
別途資格が必要です。
詳細はセンター職員までお問い合わせ下さい。
3.センター機器の利用方法
下記2つの方法があります。(①または②)
①教職員あるいは学生が直接操作して測定する方法
分析計測センター機器を直接操作するには、新規登録申込を行い、イン
ストラクター登録者になることが必要です。インストラクター登録者とは、
当該機器の機器講習を受け、操作方法を習得後、センターが行う実技・筆記
試験に合格した者をいいます。(→4. 新規登録手順を参照)
機器の新規登録申込は、随時受け付けています。
②センターに測定を依頼する方法(依頼分析)
依頼分析を希望する場合は、装置担当スタッフまでご相談下さい。
(継続しての装置利用を考えていない場合などが該当します)
4. 新規登録手順(インストラクター登録の手順)
新規登録申込(測定試料、講習日程などの聞き取り・打ち合わせ)
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機器講習1)(装置担当スタッフ等による操作法の講習)
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機器操作の練習・習熟
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技能認定試験2)(実技・筆記試験)
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インストラクター(利用者)として登録 (登録申請書の提出が必要)
1)機器講習の受講方法は、下記二通りがあります。
・センター装置担当スタッフから受講
・所属研究室インストラクター登録者(当該装置)から受講
2)技能認定試験(実技・筆記試験)の合格者は、インストラクターとして
登録されます。(担当スタッフからの講習受講者、および所属研究室インス
トラクター登録者からの講習受講者の両者とも技能認定試験が必須)
5.インストラクター登録者の機器利用
①機器利用予約を行う・・・センターホームページでオンライン予約をする。
▼
②機器を利用する
・所定の装置利用申込書を、利用日に記入
・機器利用中は、掲示板(事務室前方のホワイトボード)に掲示する
・装置使用後、所定の場所(事務室のドアボックス)に提出する
6.オンライン予約
オンライン予約を行うためには、インストラクター登録者になる事が必要です。インストラクター登録が完了した教職員・学生にはIDを発行します。
詳細はセンタースタッフまでお問い合わせください。
運営スタッフ・装置リスト
所属 | 職名 | 氏名 | |
センター長 | 物質材料工学専攻 | 教授 | 梅田 実 |
担当教員 | 物質材料工学専攻 | 准教授 | 齊藤信雄 |
担当教員 | 物質材料工学専攻 | 助教 | 西川雅美 |
担当職員 | 技術支援センター | 技術職員 | 程内和範 |
担当職員 | 分析計測センター | 技術補佐員 | 渡邉恵理子 |
所属 | 職名 | 氏名 | |
担当職員 | 技術支援センター | 技術専門職員 | 豊田英之 |
担当職員 | 技術支援センター | 技術専門職員 | 近藤みずき |
担当職員 | 技術支援センター | 技術専門職員 | 宮 正光 |
担当職員 | 技術支援センター | 技術専門職員 | 河原夏江 |
担当職員 | 技術支援センター | 技術職員 | 大塩茂夫 |
担当職員 | 技術支援センター | 技術職員 | 加藤善二 |
所属 | 職名 | 氏名 | |
担当教員 | 物質材料工学専攻 | 助教 | 白仁田沙代子 |
担当教員 | 物質材料工学専攻 | 助教 | 小松啓志 |
担当教員 | 物質材料工学専攻 | 助教 | 戸田智之 |
所属 | 職名 | 氏名 | |
担当教員 | 基盤共通教育部 | 教授 | 松原 浩 |
担当教員 | 電気電子情報工学専攻 | 准教授 | 田中久仁彦 |
担当教員 | 機械創造工学専攻 | 准教授 | 本間智之 |
担当教員 | 物質材料工学専攻 | 准教授 | 本間 剛 |
研究紹介 ~電子スピン共鳴法(ESR)でどんな研究ができるの?~
分析計測センター 助教 西川雅美
ESRというのは、不対電子を検出することができます。また、その不対電子が存在する環境と特定することができるので、どの原子に不対電子があるのかを調べる事が可能です。原理を簡単に説明すると、電子スピンに磁場をかけると、磁場に平行または反平行にその磁気モーメントが配列することで、2つの状態に分かれます(図1:Zeeman分裂)。この2つの状態にはエネルギー差があるので、不対電子が存在する場合、このエネルギー差に相当するマイクロ波の吸収が起こります。このマイクロ波の吸収の有無で不対電子の存在が確認でき、不対電子の存在する環境によって、このエネルギー差の大きさは異なるために、吸収されるマイクロ波の波数から不対電子の環境を特定することができるのです。(実際のESRは、マイクロ波の波数を固定して、磁場を掃引するため、マイクロ波吸収が起きる磁場で、不対電子の環境を特定します。)この特性を生かして、ESRは、バイオ、有機化学、無機化学、物理化学・・・といった幅広い分野の研究に利用されています。今回は、ESRを用いて、光触媒の反応機構について解析した研究をご紹介します。
図1 Zeeman効果
光触媒反応というのは、光触媒材料が光を吸収することで、正孔と電子を生成することに起因します。正孔は、酸化力を持っているので、悪臭・有害な有機物を無害なCO2に分解することができます。太陽光や室内灯さえあれば、光触媒反応が進行するため、エコな環境浄化材料として利用されています。代表的な光触媒はTiO2ですが、TiO2は紫外光にしか応答しないため、紫外光を含まない室内灯下では十分な環境浄化能力がありません。そこで、これまでTiO2に可視光応答性を持たせるための研究がなされてきました。その結果、3価のFeの酸化物クラスターをTiO2に表面に担持するだけで、高活性な可視光応答性が発現することが発見されました。では、なぜ、3価のFeを担持するだけで、可視光応答性が発現したのでしょうか。それを解明するには、光を当てたときに、電子と正孔がどのように移動するのかを調べる事が必要です。この電荷移動経路を調べる上でESRはとても有力なツールとなります。
TiO2は、光を照射しない場合は、不対電子を有していないので、ESRシグナルは検出されません。光を照射すると、TiO2の価電子帯の電子が伝導帯に励起することで、励起電子と励起正孔が生成し、それぞれがトラップサイトに捕捉されて捕捉電子と捕捉正孔になります。捕捉電子と捕捉正孔は不対電子であり、それぞれ3価のTiとO-のESRシグナルとして検出することができます。そのため、これらのシグナルを観測することで、電子の励起過程を推測することができるのです。図2は、Feを担持したTiO2とFeを担持していないTiO2のESRスペクトルを示します。これらのTiO2は、いずれも暗所でも、暗所でも捕捉電子(3価のTi)に起因するESRシグナルが磁場3400G付近に検出されました。これはTiO2に酸素欠損があるためです。次に、Fe担持TiO2に波長500nm以上の可視光を照射すると、3価のTiに起因するシグナルは変化せず、磁場3350G付近にシグナルが観測されました。これは捕捉正孔(O-)に起因するシグナルであり、捕捉電子のシグナルが新たに観測されずに、捕捉正孔されたということは、TiO2の価電子帯の電子は伝導帯ではなく、別の所に励起していることを示しています。一方、Feを担持していないTiO2では、この捕捉正孔に起因するシグナルは観測されませんでした。波長500nmの光のエネルギーは、TiO2のバンドギャップエネルギーよりも小さいため、価電子帯-伝導帯間の励起が起こらないので、当然と言える結果です。そして、Fe担持TiO2にのみ捕捉正孔に起因するシグナルが観測されたことから、担持されたFeが電子の励起過程に関与していることが明白です。
図2 捕捉電子と捕捉正孔のESRスペクトル
図3 FeのESRスペクトル
図4 Fe担持TiO2の電荷移動経路
このように、光触媒の電荷励起過程を調べる上で、ESRは有力なツールとなります。光触媒以外でも、ESRは、不対電子が関係していれば、多くの場合、適用できますので、今後も様々な分野の研究に役立つでしょう。
トピックス ~グローバル化による留学生の分析機器利用について~
分析計測センター 准教授 齊藤信雄
今後,グローバル化が加速する中,さらなる留学生の増加が想定されることから,機器分析の専門的知識と英語能力を有するスタッフをさらに拡充し,日本人学生のみならず留学生への支援体制を整えていくと共に,分析機器を通じたグローバル化の推進も必要となるだろう。
利用者の声 ~教職員から~
電気電子情報工学専攻 准教授 田中久仁彦
こんな時に頼りになるのが分析センターです.本学の分析センターには高価な測定装置が多くあります.そして,基本的には,分析センターのスタッフから使用法を学びながら自分で測定することになります.この「自分で測定する」ことができるのが非常に良いです.試料のどの部分を見るのか,どんな測定条件で測定したらよいのか,あるいはこの試料でこの結果が出たのならばあの試料も測りたい…などなど,研究では常に状況が変わりますが,自分で測定していれば対応することも可能となります(あれもこれも測りたくなって,ついつい利用料金がかさんでしまうのが難点なのですが….それでも外部に依頼するよりははるかに安いです).また,本学分析センターで素晴らしいと思うのはマニュアルです.分析センターで独自に装置使用マニュアルを作成しているのですが,その完成度が非常に高いです.場合によっては装置使用法の講習を受けなくてもマニュアルを見るだけで使えるのではないかと思うくらいです.慣れない装置を使うときの緊張感は皆さんもよく知っていると思いますが,このマニュアルがあればそれがかなり軽減されます.
最後に,多くの装置の維持管理や初心者講習など分析センター専従スタッフは大変だと思いますが,今後も我々の研究のためにお力添えいただければと思います.
利用者の声 ~学生から~
原子力システム安全工学専攻 M2 内田雄大
私は原子力システム安全工学専攻に所属しており、核融合材料に関する研究を行っています。現在、タングステンへα線を照射した際の損傷を評価するために、センターにあるFIB、TEM装置を利用させていただいています。解析には依頼分析という形でFIB加工、TEM観察をお願いすることもできました。しかし、ナノスケールの加工・分析を行える専門技術を習得したいと考え、FIB装置を一人で操作できるよう講習を受けました。
初めにFIB加工の作業を見た時は、その自由度の高さに驚きました。PCのディスプレイに表示されるタングステン試料の表面画像を適当に矩形選択すると、Gaイオンが照射され瞬く間にその領域がスパッタされていきます。試料にパターンを形成し、髪の毛の1/5の大きさ(20 micron)のブロックを切り出していきます。更に、切り出したブロックの厚さを1micron程度まで薄く加工します。簡便な操作で高精度の加工を行う様子を目前にし、これは面白そうだと心躍らせていたのを覚えています。
一方で、実際に装置を操作してみるとその難しさを実感しました。タングステン試料の加工には既存のマニュアルに沿った加工工程が通用せず、初めは望むようなTEM画像を得られませんでした。しかし、担当教員が装置の使い方を丁寧に指導して下さったおかげで試料をTEMで観察できました。また、同じようにFIB装置を使用する学生と加工のコツなどを議論することでFIB加工技術を向上できました。今回得られた結果を用いて学会にて発表できそうです。
初めてFIB装置を使用してから3ヶ月ほど経ちました。多い時は毎日のように実験装置を利用していた時期もありました。実験を行う度にマニュアルを見る回数も少なくなり、最近は1日かかっていた実験もスムーズに行えるようになってきました。今後も、継続して利用させていただけたらと考えています。貴重な実験装置を学生が使用できる場を与えてくださった分析計測センターの方々に感謝します。
H27年度研究業績(H27.4~H28.3)
※センターに報告された研究業績のみ掲載。
博士論文・修士論文・卒業論文
題目 | 学年 | 氏名 | 装置 | |
1 | 多孔質マイクロ電極を用いた固体高分子形燃料電池用白金系電極触媒の電気化学的研究 | D3 | Weiqi Zhang | XPS |
2 | MOD法によって作製した鉄酸化物薄膜の磁気異方性制御に関する研究 | D3 | 佐々木 教真 | XRD |
3 | 有機金属分解法によるBi置換Y系およびNd系磁性ガーネットの作製と評価 | M2 | 婁 庚健 | XRD |
4 | 有機ケイ素化合物のプラズマ化学反応とa-SiCx:H膜の形成 | M2 | 佐伯駿介 | GD-OES |
5 | 窒素と有機化合物のプラズマ化学反応における薄膜形成機構 | M2 | 茂木紳令 | XPS, GD-OES |
6 | 触媒反応支援CVD法によるZnO結晶膜成長における窒素酸化物ガス添加に関する研究 | M2 | 石塚 侑己 | XPS |
7 | GaAs基板上へのZnSnAs2ベース混晶薄膜の作製に関する研究 | M2 | 寺内達也 | EPMA, H-XRD |
8 | 磁性半導体ZnSnAs2:Mn薄膜の電気・光学特性の膜厚依存性に関する研究 | M2 | 板垣圭 | EPMA, H-XRD |
9 | InP(001)基板上ZnSnAs2:Mn薄膜のMBE結晶成長条件および結晶性に関する研究 | M2 | 高橋建壮 | EPMA, H-XRD |
10 | 熱電変換素子に向けたRFスパッタ法によるβ-FeSi2薄膜の作製と評価に関する研究 | M2 | 小川裕司 | EPMA, H-XRD |
11 | 太陽電池応用へ向けたゾルゲル法によるp型酸化物半導体薄膜の作製 | M2 | 粉川 えみい | H-XRD, EPMA |
12 | ゾルゲル硫化法により作製した塩素フリーCu2ZnSnS4薄膜の品質改善 | M2 | 宮澤 勇斗 | EPMA, GDS, LR, XPS |
13 | 発光分光法による欠陥がCu2ZnSnS4薄膜に与える影響の調査 | M2 | 三浦 進也 | EPMA, LR |
14 | 発光分光法によるCu2SnS3の光学特性の解析 | M2 | 粟飯原 直也 | EPMA, LR |
15 | アミノ酸添加による高硬度めっき膜の作製 | M2 | 鮫島彰吾 | GDS, XRD |
16 | TiO2ナノ粒子を用いた複合めっき機構の考察 | M2 | ノールファラヒン・ビンティ・ルスリー | GDS |
17 | アパタイト系光触媒の可視光応答化 | M2 | TAN LEE HUA | XPS. XRD |
18 | TiO2光触媒活性への格子歪の影響 | M2 | 由藤 宗一郎 | H-XRD |
学会発表
題目 | 氏名 | 学会名 | 装置 | |
1 | 有機金属分解法によるCoフェライト薄膜の作製と評価 | 目黒 燎、久保田 大志、二宮 南、佐々木 教真、石橋 隆幸、柳原 英人、喜多 英治 | 電気学会マグネティックス研究会 | XRD |
2 | 磁気光学イメージングプレート用Nd3-xBixFe5-yGayO12薄膜の大面積化と性能評価 | 劉 琦、婁 庚健、佐々木 教真、石橋 隆幸 | 電気学会マグネティックス研究会 | XRD |
3 | MOD法によりガラス基板上へ作製したNd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 (y = 0-1) 薄膜の磁気異方性 | 婁 庚健、佐々木 教真、加藤 剛志、岩田 聡、石橋 隆幸 | 応用物理学会秋季講演会 | XRD |
4 | MOD法によりGGG基板上に作製した高濃度Bi置換ネオジウム鉄ガリウムガーネット薄膜の結晶格子歪と磁気異方性について | 佐々木 教真、二宮 南、婁 庚健1、加藤 剛志、岩田 聡、石橋 隆幸 | 応用物理学会秋季講演会 | XRD |
5 | N2雰囲気中で結晶化したCoフェライト薄膜の作製と評価 | 目黒 燎、久保田 大志、佐々木 教真、石橋 隆幸、柳原英人、喜多英治 | 応用物理学会秋季講演会 | XRD |
6 | 磁気光学イメージングプレート用Nd3-xBixFe5-yGayO12薄膜の大面積化と性能評価 | 劉 琦、婁 庚健、佐々木 教真,石橋 隆幸 | 第39回日本磁気学会学術講演会 | XRD |
7 | 基板による応力のNd0.5Bi2.5Fe4GaO12薄膜の磁気異方性への影響 | 箸中貴大、佐々木 教真、石橋隆幸、谷山智康 | 第39回日本磁気学会学術講演会 | XRD |
8 | Bi置換Nd系磁性ガーネットを用いた磁気光学イメージングプレートの開発 | 石橋 隆幸, 婁 庚健, 劉 琦, 佐々木 教真, 加藤 剛志, 岩田 聡 | 電気学会A部門大会、平成27年基礎・材料・共通部門大会 | XRD |
9 | MOD法によりガラス基板上へ作製したNd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 (y = 0-1) 薄膜の磁気異方性 | 婁 庚健、佐々木 教真、加藤 剛志、岩田 聡、石橋 隆幸 | 電子情報通信学会 | XRD |
10 | 基板による応力のNd0.5Bi2.5Fe4GaO12 薄膜の磁気異方性への影響 | 箸中 貴大、佐々木 教真、石橋 隆幸、 加藤剛志、岩田 聡、谷山 智康 | 電子情報通信学会 | XRD |
11 | 高濃度 Bi 置換ネオジウム鉄ガリウムガーネットの磁気異方性 | 佐々木教真、婁庚健、劉琦、箸中貴大、加藤剛志、岩田聡、谷山智康、石橋隆幸、 | 東北大学電気通信研究所スピニクス特別研究会 | XRD |
12 | Nd0.5Bi2.5Fe4GaO12 薄膜に生じた応力誘導磁気異方性の評価 | 中 貴大、佐々木 教真、石橋 隆幸、加藤 剛志、岩田 聡 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | XRD |
13 | ガラス基板上に作製したCoフェライト薄膜の 磁気光学効果測定による評価 |
久保田 大志、目黒 燎 、佐々木 教真、石橋隆幸 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | XRD、TEM |
14 | MOD法による磁気光学イメージングプレート用Nd0.5Bi2.5Fe5O12薄膜の作製条件の検討 | 劉 琦、婁 庚健、箸中 貴大、佐々木 教真、石橋 隆幸 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | XRD |
15 | MOD法によりガラス基板上へ作製したNd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 (y = 0-1) 薄膜のFMR測定 | 婁 庚健、佐々木 教真、安達 信泰、加藤 剛志、岩田 聡、石橋 隆幸 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | XRD, ESR |
16 | Bi substituted Nd-based Iron Garnet Thin Films for Magneto-optical Imaging | T. Ishibashi | GIGAKU | XRD |
17 | Co ferrite thin films on MgO (100) prepared by metal-organic decomposition method | T. Ishibashi, M. Sasaki, M. Ninomiya, T. Tsurui, K. Shinozaki, T.Komatsu, H.Yanagihara, E. Kita | Int. Conf. on Magnetism | XRD |
18 | Strain-controlled MO effect on highly Bi-substituted neodymi- um iron gallium garnet thin films | M. Sasaki, G. Lou, T. Hashinaka, A. Meguro, M. Ninomiya, T. Ishibashi, T.Taniyama | Int. Conf. on Magnetism | XRD |
19 | Magnetic anisotropy of Nd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 (y = 0 ~ 1) thin films on glass substrates prepared by metal organic decomposition (MOD) method | G. Lou, M. Sasaki, T. Kato, Sat Iwata, T. Ishibashi | Int. Conf. on Magnetism | XRD |
20 | Analysis of strain in highly Bi-substituted neodymium iron gallium garnet thin films on GGG by MOD method | M. Sasaki, G. Lou, T. Hashinaka, A. Meguro, and T. Ishibashi, | MORIS |
XRD |
21 | Analysis of dissociative excitation reaction of hexamethyldisilane in the microwave discharge flow of Ar |
Syunsuke Saeki , Motoki Kumakura, and Haruhiko Ito | NDNC2015 | XPS, GD-OES |
22 | Laser Spectroscopy of CN Radicals in the Microwave Discharge Flow of the Gas Mixture of N2 and CH3CN | Nobuyoshi Mogi, Hiroki Tsudome, Haruhiko Ito | NDNC2015 |
XPS, GD-OES |
23 | 有機化合物/N2混合気体放電を用いた高窒素含有a-CNx:H薄膜の生成 ー気相分光に基づく窒素源の特定 |
茂木紳令,伊藤治彦 | 応用物理学会 | XPS |
24 | 有機化合物 / N2 混合気体放電を用いた高窒素含有a-CNx : H膜の生成 薄膜の構造解析 | 平松拳也、斎藤秀俊、伊藤治彦 | 応用物理学会 | XPS |
25 | Fabrication of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films from Decomposition of Hexamethyldisilane with Microwave Discharge Flow of Ar | H. Ito, M. Kumakura, T. Suzuki, M. Niibe, K. Kanda, and H. Saitoh | DPS2015 |
XPS,GD-OES |
26 | 有機化合物/N2混合気体放電を用いた高窒素含有a-CNx:H膜の生成 ―薄膜の構造解析 |
平松拳也、斎藤秀俊、伊藤治彦 | 応用物理学会 | XPS |
27 | Influence of NO doping on the properties of ZnO thin films on a-plane sapphire grown by catalytic-reaction-assisted chemical vapor deposition | R. Tajima, K. Watanabe, Y. Ishidzuka, Y. Ohashi, Y. Tamayama, K. Yasui | 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
XPS |
28 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oビームを用いて堆積したZnO薄膜へのNOガス添加効果 | 石塚侑己, 田島諒一, 大橋優樹, 玉山泰宏, 安井寛治 | 電子情報通信学会電子部品材料研究会 | XPS |
29 | Mechanistic investigation of the improved corrosion resistance of Ni-free nitriding treated stainless steel as bipolar plate for PEFC | 干洋,白仁田沙代子,中津山國雄,相馬憲一,梅田実 | 電気化学会第83回大会 | GDS |
30 | Corrosion Characteristics of Ni-free Nitriding Stainless Steel as Bipolar Plate Material for PEFC | Yang Yu, Sayoko Shironita, Kunio Nakatsuyama, Kenichi Souma, Minoru Umeda | 1st International Conference on Applied Surface Science | GDS |
31 | PEFCセパレータ用のNiフリーステンレス鋼中の耐食性へ及ぼすCr量の検討 | 白仁田沙代子,于洋,中津山國雄,相馬憲一,梅田実 | 2015年電気化学会秋季大会 | GDS |
32 | 固体高分子形燃料電池用セパレータ材料への窒素熱処理条件の検討と電気化学的評価 | 白仁田沙代子,Yu Yang,華勝男,中津山國雄,相馬憲一,梅田実 | 第22回燃料電池シンポジウム | GDS |
33 | The Corrosion Property of Different Heat Treated Nitriding Stainless Steel for Use of Bipolar Plate in PEFC | Yu Yang, Hua Shengnan, Shironita Sayoko, Nakatsuyama Kunio, Souma Kenichi, Umeda Minoru | 第22回燃料電池シンポジウム | GDS |
34 | GaAs(001)基板への(Zn,Ga,Sn)As2 薄膜の結晶成長と評価 | 寺内達也 日高志郎 豊田英之 加藤孝弘 内富直隆 | 多元系化合物・太陽電池研究会 | EPMA, H-XRD |
35 | Mn添加ZnSnAs2 薄膜の膜厚依存性に関する研究 | 板垣圭, 北澤智大, 豊田英之, 日高志郎, 加藤孝弘,内富直隆 | 多元系化合物・太陽電池研究会 | EPMA, H-XRD |
36 | MBE法によるZnSnAs2 およびMn添加ZnSnAs2 薄膜の成長条件の検討 | 高橋建壮,淡河將希,日高志郎,豊田英之,加藤孝弘,内富直隆 | 多元系化合物・太陽電池研究会 | EPMA, H-XRD |
37 | X線回折による強磁性半導体ZnSnAs2:Mnの結晶構造に関する研究 | 豊田英之, 板垣圭, 北沢智大, 高橋敏男, 内富直隆 | 多元系化合物・太陽電池研究会 | EPMA, H-XRD |
38 | MBE法によるZnSnAs2およびMn添加ZnSnAs2薄膜の成長条件の検討 | 高橋建壮、淡河將希、加藤孝弘、豊田英之、日高志郎、内富直隆 | 電気学会東京支部新潟支所 | EPMA, H-XRD |
39 | GaAs(001)基板への(Zn,Ga,Sn)As2薄膜の結晶成長と評価 | 寺内達也, 日高志郎, 豊田英之, 加藤孝弘, 内富直隆 | 電気学会東京支部新潟支所 | EPMA, H-XRD |
40 | RFマグネトロンスパッタリング法によるβ- ZnSnAs2熱電変換薄膜の作製と評価 | 小川 裕司, 日高 志郎, 豊田 英之, 加藤 孝弘 | 電気学会東京支部新潟支所 | EPMA, H-XRD |
41 | Mn添加ZnSnAs2薄膜の膜厚依存性に関する研究 | 板垣 圭, 北澤 智大, 豊田 英之, 日高 志郎, 加藤 孝弘, 内富 直隆 | 電気学会東京支部新潟支所 | EPMA, H-XRD |
42 | MBE Growth and Characterization of ZnSnAs2 Thin Films Heavily Doped with Group III Atoms | Kensou Takahashi, Naotaka Uchitomi, Tatsuya Terauchi, Masahiro Kato, Hiroaki Inoue, Hideyuki Toyota | The 4th International GIGAKU Conference in Nagaoka | EPMA, H-XRD |
43 | Photoluminescence characterization of monoclinic Cu2SnS3 thin film | Naoya Aihara, Kunihiko Tanaka, Ayaka Kanai, and Hideaki Araki | 2015 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies | LR, EPMA |
44 | Effects on Cu2ZnSnS4 Optical Absorbing Layer of Partial Electrolyte | Takayoshi Okamoto, Hiroki Ogawa, Kunihiko Tanaka | 2015 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies | LR, EPMA, XPS |
45 | Improvement of conversion efficiency of three-dimensional Cu2ZnSnS4 solar cell due to elapsed time | Takamichi Ishiyama, Yoshiki Nagahashi, Kunihiko Tanaka, Katsuhiko Moriya | 2015 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies | XPS, EPMA |
46 | 化学量論比組成に近い組成を持つCu2ZnSnS4薄膜発光の組成比依存 | 田中 久仁彦, 三浦 進也,髙松良春 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | LR, EPMA |
47 | Cu2SnS3バルク結晶の励起子発光スペクトル | 粟飯原 直也,松本 祐典,田中 久仁彦 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | LR, EPMA |
48 | ゾルゲル硫化法により作製したClフリーCu2ZnSnS4薄膜の作製条件最適化 | 宮澤勇斗,岡本崇義,田中久仁彦 | 平成27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 | LR, EPMA, GDS |
49 | 発光分光によるCu2ZnSnS4薄膜中における欠陥の調査 | 三浦進也,髙松良春,田中久仁彦 | 平成27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 | EPMA, LR |
50 | Cu2SnS3バルク結晶の励起子発光 | 粟飯原直也,松本祐典,田中久仁彦 | 平成27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 | EPMA, LR |
51 | Clフリー溶液を用いてゾルゲル硫化法により作製したCu2ZnSnS4薄膜の品質改善 | 宮澤勇斗・岡本崇義・田中久仁彦 | 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会 | LR, EPMA, GDS |
52 | 非真空プロセスによる銅ハライド透明薄膜の作製 | 田尾翔子・原田大雅・田中久仁彦,森谷克彦 | 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会 | H-XRD |
53 | 化学気相輸送法によるCu2SnS3バルク単結晶の作製 | 松本祐典,粟飯原直也,宗村篤,田中久仁彦 | 第76回 応用物理学会秋季学術講演会 | EPMA, LR, TEM |
54 | Feめっき膜中へのアミノ酸の共析 | 鮫島彰吾 | 表面技術協会 | GDS, XRD |
55 | アミノ酸添加による高硬度めっき膜の作製 | 鮫島彰吾 | 電気化学会・表面技術協会(支部合同大会) | GDS, XRD |
56 | TiO2複合めっき膜の作製と光触媒特性 | ノールファラヒン・ビンティ・ルスリー | 電気化学会・表面技術協会(支部合同大会) | GDS |
学術論文
題目 | 氏名 | 雑誌名 | 巻, 号, ページ | 装置 | |
1 | Nd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 thin films on GGG substrates prepared by MOD method | Michimasa Sasaki, Gengjian Lou, Qi. Liu, Minami Ninomiya, Takeshi, Kato, Satoshi Iwata, Takayuki Ishibashi, | Jpn. J. Appl. Phys. | 印刷中 | XRD |
2 | Strain-controlled MO effect on highly Bi-substituted Neodymium Iron Gallium Garnet thin films | Michimasa Sasaki, Gengjian Lou, Takahiro Hashinaka, Akira Meguro,Minami Ninomiya, Takayuki Ishibashi and Tomoyasu Taniyama | Physics Procedia | 75, 1370–1375 | XRD |
3 | Magneto-optical Imaging Plate Using Bismuth-Substituted Iron Garnet Film Prepared by Metal-Organic Decomposition | Takayuki Ishibashi, Gengjian Lou, Akira Meguro, Takahiro Hashinaka, Michimasa Sasaki and Takao Nishi | Sensors and Materials | 27(10) 965–970. | XRD |
4 | Preparation and Characterization of Co Ferrite Thin Films on MgO (100) Substrates by Metal Organic Decomposition | Minami Ninomiya, Michimasa Sasaki, Takao Tsurui, Kenji Shinozaki, Takayuki Komatsu and Takayuki Ishibashi | Sensors and Materials | 27(10) 925–931 | XRD |
5 | Magneto-Optical Properties of Nd0.5Bi2.5Fe4GaO12 Thin Films on Glass Substrates with Various Thicknesses Prepared by Metal Organic Decomposition Method | Gengjian Lou, Tomohiko Yoshida, and Takayuki Ishibashi | J. Appl. Phys. | 117, 17A749 | XRD |
6 | Precursor of N atoms of hydrogenated amorphous carbon nitride films formed from the microwave discharge of C2H2/N2 gas mixture | H. Ito, H. Tsudome, N. Mogi, and H. Saitoh | Jpn. J. Appl. Phys. | 55, 01AA12 | XPS, GD-OES |
7 | Contribution of CN(X2S+) Radicals to N Atoms of Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride Films Formed from the Microwave Discharge of the Gas Mixture of N2 and CH3CN | H. Ito, N. Mogi, K. Okada, and H. Tsudome | Diamond Relat. Mater. | 63, 125-131 | XPS, GD-OES |
8 | Changes of Chemical Structure of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films with the Application of Radio-Frequency Bias Voltages during Chemical Vapor Deposition | H. Ito, T. Ogaki, M. Kumakura, S. Saeki, T. Suzuki, H. Akasaka, H. Saitoh | Diamond and Relat. Mater. | 66, 1-9 | XPS, GD-OES |
9 | Three-phase interphase modeling of anode in membrane electrode assembly using a porous microelectrode | Weiqi Zhang, Sayoko Shironita, and Minoru Umeda | Int. J. Hydrogen Energy | 40 | XPS |
10 | メタノールと酸素共存下におけるPt-Ru-C同時スパッタリング電極の反応選択性 | 高橋勇太, 白仁田沙代子, 梅田実 | 燃料電池 | 14(3) | XPS |
11 | Exciton luminescence from Cu2SnS3 bulk crystals | Naoya Aihara, Yusuke Matumoto, Kunihiko Tanaka | Applied Physics Letters | 108, 092107 | LR, EPMA |
12 | Preparation of monoclinic Cu2SnS3 single crystal by chemical vapor transport with iodine | Yusuke Matsumoto, Naoya Aihara, Atsushi Munemura, Kunihiko Tanaka |
Materials Letters | 170, 213 | LR, EPMA, TEM |
13 | Effect of UV irradiation on Cu2ZnSnS4 thin films prepared by the solegel sulfurization method | Hayato Miyazawa, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki | Journal of Alloys and Compounds | 652, 400 | LR, EPMA, GDS |
14 | Donor-acceptor pair recombination luminescence from monoclinic Cu2SnS3 thin film | Naoya Aihara, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Ayaka Kanai, and Hideaki Araki | Applied Physics Letters | 107, 032101 | LR, EPMA |
15 | A method to give chemically stabilities of photoelectrodes for water splitting: Compositing of a highly crystallized TiO2 layer on a chemically unstable Cu2O photocathode using laser-induced crystallization process | Nishikawa, Masami; Fukuda, Masayuki; Nakabayashi, Yukihiro; Saito, Nobuo; Ogawa, Nobuhiro; Nakajima, Tomohiko; Shinoda, Kentaro; Tsuchiya, Tetsuo; Nosaka, Yoshio | Applied Surface Science | 363, 173 | H-XRD |
16 | Visible light responsive vanadium-substituted hydroxyapatite photocatalysts | Nishikawa, Masami; Tan, Lee Hua; Nakabayashi, Yukihiro; Hasegawa, Takahiro; Shiroishi, Wataru; Kawahara, Seiichi; Saito, Nobuo; Nosaka, Atsuko; Nosaka, Yoshio | Journal of Photochemistry and Photobiology, A: Chemistry | 311, 30 | XPS, XRD |
H27年度利用実績
利用研究室 34 研究室
装置利用回数 1203回